西电新闻网讯（通讯员 王迪）5月14日，中国科学院院士、前香港大学校长、香港城市大学创校校长、国际知名半导体材料与器件专家郑耀宗教授率团莅临西电杭州研究院，围绕集成电路研究、个人成长与行业发展等主题与师生开展交流。活动由杭研院集成电路研究所PI团队负责人韩根全主持。

座谈会上，韩根全对郑耀宗院士一行的到来表示热烈欢迎，并详细介绍了团队在人才引育、科研平台建设及核心技术攻关方面的成果。

团队青年教师代表分别就铁电存储和存算一体芯片、氧化镓功率器件课题的研究内容进行专题汇报。

郑耀宗院士对西电的热情接待表示感谢，并对团队的前沿探索成果给予高度评价。郑耀宗院士简要介绍了香港大学的基本情况以及科研特色，并分享了自己在学术生涯早期，面对科研平台不完善等困难时，如何凭借坚定的信念和不懈的努力，创造研究条件并取得重要学术成果的宝贵经历。

郑耀宗院士在国际上首先提出了MOS反型层载流子表面粗糙度散射理论，作为MOS器件物理领域的重要发展，该理论在集成电路领域具有深远影响力。同时，他是国际上最早的氮化硅技术研究者之一，相关薄膜已经成为现代芯片的核心材料。针对当前国际对中国半导体的诸多限制，郑耀宗院士谈到，要正确看待当前的困难，不能依赖外部条件的改善，要主动解决问题，积极在基础理论、关键问题研究上布局，抢占重要技术的制高点，在新一轮的技术革新中占据先发位置。郑耀宗院士的发言为杭研院在集成电路领域的发展指明了方向，参与座谈的师生深受启发。

此次交流活动促进了学术思想的碰撞与融合。未来，杭研院将进一步加强与顶尖科研团队的合作与交流，不断提升自身的科研水平和创新能力，为我国集成电路产业的发展贡献更多“芯”力量。