西电新闻网讯（通讯员 张涛）近日，西电先进材料与纳米科技学院2022级本科生张涛以共同第一作者身份，在应用物理学领域Top期刊《Applied Physics Reviews》（2024年影响因子：11.9）发表综述文章“Application and prospect of in-situ TEM in wide bandgap semiconductor materials and devices”，被选为Featured Article，做了特别Scilight报道。张涛一对一导师雷毅敏教授为论文第一通讯作者，硕士研究生陈超为共同第一作者。

材料院始终高度重视人才培养工作，在全体本科生中实施“一对一导师制”，依托教师创新研究科研课题，通过学业指导、专业教育、科学训练、创新创业实践、本科毕业设计等贯通式一体化培养，实现“一个学生一个方案”的精细化、个性化、特色化指导，通过组织定期的学术讲座和研讨会，邀请国内外知名专家学者来校交流，为学生们提供了一个与前沿科技接轨的平台。同时，学院注重将最新的科研成果转化为教学资源，让学生们能够接触到最前沿的科学技术，从而培养学生的创新意识和实践能力。

文章内容：

在5G/6G通信、航空航天国防工业、电力电子以及新能源汽车等众多领域，以GaN为代表的宽禁带半导体材料与器件发挥着重要的基础支撑作用。优异的材料和器件高可靠性是实现以上领域应用的关键。传统的失效分析技术在实时监测材料和器件失效过程方面存在局限性，而原位透射电镜技术逐渐成为揭示该动态机制的关键工具。雷毅敏教授课题组一直致力于利用原位透射电镜技术研究多物理场耦合服役环境下宽禁带半导体材料与器件的失效机制。这篇论文依托雷毅敏教授课题组多年来的原位分析研究，系统地梳理了原位透射电镜技术在宽禁带半导体材料与器件领域的创新应用，聚焦于原位器件级样品制备，多物理场耦合表征及可靠性评价体系构建，实现从微观结构演化到宏观性能退化的全维度关联表征分析，为高可靠性宽禁带半导体器件的多尺度结构设计、界面工程优化及失效机理研究提供关键理论支撑。该论文还分析和展望了原位透射电镜技术目前所面临的挑战以及今后的发展方向。

原文链接：https://doi.org/10.1063/5.0225128